本发明公开了一种高透明度无铅钙钛矿陶瓷材料及制备方法，涉及压电陶瓷电介质材料技术领域，方法包括以下步骤：将BaCO3、CaCO3、ZrO2、TiO2和Bi2O3、CuO、WO3混合，得到混合物；对混合物依次进行球磨、烘干和预烧，得到主晶相粉体；对主晶相粉体依次进行球磨、烘干后，再依次进行造粒、压片、烧结，得到无铅钙钛矿陶瓷材料。本申请通过设计制备方法，实现将Bi(Cu3/4W1/4)O3固溶到(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.1Ti0.9)O3，制成的无铅钙钛矿陶瓷材料，其内部产生的大晶格畸变，能够获得较好的压电性能，并且在极化后具有相对良好的透过率。
📄 2025112027605
📂 C04B35_49
👤 陕西科技大学
📅 2025-08-27
本发明公开了一种高极化的无铅钙钛矿陶瓷材料及制备方法，涉及储能陶瓷电介质材料技术领域，其中，无铅钙钛矿陶瓷材料由Bi0.5Na0.5TiO3和Ba(Mg0.5W0.5)O3固溶而成。本申请通过将Ba(Mg0.5W0.5)O3引入Bi0.5Na0.5TiO3无铅弛豫铁电体陶瓷中，制成的无铅钙钛矿陶瓷材料，具有较小的晶粒尺寸，且晶粒排列较为致密，几乎没有空隙出现，致密性好；此外，本申请的无铅钙钛矿陶瓷材料通过掺杂Ba(Mg0.5W0.5)O3，在陶瓷的B位产生了较大的晶格畸变，诱导出的饱和极化强度超过了90 uC/cm2。
📄 2025102375005
📂 C04B35_475
👤 陕西科技大学
📅 2025-03-03
本发明公开了一种亚微米细晶结构的高熵钙钛矿陶瓷材料及制备方法，在ABO3的基础上，A位和B位分别掺杂五种元素合成的固溶体，再结合固相方法及特定的制备工艺，制备高熵钙钛矿陶瓷材料，得到的高熵钙钛矿陶瓷材料具有晶粒尺寸极小的亚微米级微观结构，有利于陶瓷中击穿场强的提高，更容易获得大的可回收能量密度和效率。本发明将高熵的概念运用于介电陶瓷材料中，考虑到烧结过程中Na2CO3、Bi2O3的挥发现象，对其进行过量掺杂，探究不同的掺杂含量对高熵钙钛矿陶瓷材料相结构的影响并获得最优掺杂，使实验结果更具有说服力。通过多主元的结合方式以及利用高熵材料特有的效应，使其性能获得提高，为介电陶瓷材料的设计提供新思路。
📄 2023110545367
📂 C04B35_50
👤 陕西科技大学
📅 2023-08-21
一种对周围环境介电常数敏感的微型天线传感器，包括包裹在上层基板和下层基板之间的辐射谐振单元、接地贴片、信号线和射频接头，辐射谐振单元包括闭环、第一S形辐射线和第二S形辐射线。属于无线传感器领域，可以实时地测量并输出周围环境的介电特性变化，适用于气体监测、液体监测和人体组织监测等。本发明利用闭环和S形辐射线减小天线传感器尺寸，同时实现谐振频率对周围环境介电特性的灵敏变化，开发了兼具信号检测和传输功能的天线传感器，将周围环境介电特性的变化转化为谐振频率的偏移。本发明可以对周围环境介电常数实现无接触实时监测，具有灵敏度高、传输效率好、安全等优点，具备较好的推广前景。
📄 2021101310185
📂 G01R27_26
👤 天津理工大学
📅 2021-01-30
本发明公开了一种具有高远红外发射率的碳布负载高熵尖晶石陶瓷材料及其制备方法，该方法包括：碳布酸洗处理；选用Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn和Al过渡金属盐类化合物中的五种按照金属离子摩尔比为1:1:1:1:1的比例配制成水溶液，然后按照过渡金属离子：尿素：氟化铵摩尔比为1:5:7的比例往金属离子水溶液中加入尿素和氟化铵得到混合溶液；将处理后的碳布与混合溶液置入水热反应釜中，封闭于180℃反应8h；冷却后取出清洗、干燥待用；将碳布置入马弗炉升温至400℃热处理2h，冷却得到具有高远红外发射率的碳布负载高熵尖晶石陶瓷材料；本发明提高尖晶石远红外发射材料分散性能，增加发射比表面积，提高单位质量远红外发射率，且制备方法简单、生产能耗低。
📄 202211271959X
📂 D06M11_36
👤 陕西科技大学
📅 2022-10-18
本实用新型涉及电子陶瓷元件加工技术领域，特别公开了一种电子陶瓷元件钻孔装置，包括基座，基座上端部对称开设有燕尾槽，基座上端部中心处固定安装有固定柱，固定柱两端均螺纹安装有螺纹环，固定柱上对称固定安装有第一弹簧，两个燕尾槽内部对称滑动安装有L形板，两个L形板下端部均对称固定安装有燕尾块，两组燕尾块分别滑动安装在两组燕尾槽中，两个L形板内部均滑动安装有夹持机构；夹持机构包括滑板，两个滑板分别滑动安装在两个L形板中，两个滑板内部均螺纹安装有第一螺杆，两个第一螺杆分别转动安装在两个L形板中，该设备避免了传统装置因固定尺寸导致的适用范围局限，显著提升了设备的通用性和使用场景的多样性。
📄 2025211845397
📂 B28D1_14
👤 成都湛艺电子科技有限公司
📅 2025-06-11
本发明公开了一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷及其制备方法，本发明的微波介质陶瓷的化学组成表达式为MgAlF5，其相对介电常数为6.5～7.7，品质因数为31400～40500GHz，本发明的微波介质陶瓷具有十分优异的低介电常数与高品质因数性能组合，在未来微波通讯系统无源器件中有非常广泛的应用前景。本发明的一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷的制备方法采用固相反应法制备工艺，工艺简单，重复性好且合成的物相稳定单一。此外，本发明的一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷的制备方法以全氟化物为反应原料，烧结温度不高于1200℃，相比于其他氧化物陶瓷，如MgAl2O4（1450℃）等烧结温度降低了275℃以上，能大大节约大规模工业生产的成本。
📄 2021116418991
📂 C04B35_553
👤 杭州电子科技大学
📅 2021-12-30
本发明公开了一种Cu2+、Ta5+和F‑共掺杂TiO2巨介电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的结构通式为(Cu1/3Ta2/3)0.1Ti0.9‑x/4O2‑xFx，其中x的取值为0.04～0.064，本发明通过配料、球磨、预烧、二次球磨、过筛、压片、气氛烧结、空气退火制备而成；本发明制备工艺简单、产率高、重复性好、成本低，所得陶瓷材料都获得巨介电性能，其中，x＝0.052时，其介电常数为1130，损耗为0.04，温度稳定性达到X9F(Δεr/ε25℃:‑55℃‑200℃≤±7.5％)。
📄 202411937899X
📂 C04B35_46
👤 陕西科技大学
📅 2024-12-26
本实用新型涉及陶瓷技术领域，公开了一种陶瓷生产用内加热烧结设备，包括箱体，箱体的底端设置有底座，箱体的前端开设有箱门，箱体的内部通过导轨活动连接有支撑台，支撑台的顶部两侧安装有升降机构，箱体的内部顶端安装有加热元件。本实用新型中，通过设置升降机构将陶瓷放置入载板上，通过分隔板进行限位后，可带动陶瓷根据需求进行高度的便捷调节，使陶瓷可控制与顶部加热元件的距离，从而保证满足不同陶瓷进行热处理时的热需求，同时通过开设对流槽，保证两侧加热管在进行热传递时，整体的流通性，进而缺乏陶瓷各面的受热均匀性，通过设置限位机构可便捷将加热管进行拆卸，解决现有技术在对加热管更换维修时便利性较差的问题。
📄 2024211378268
📂 F27B17_00
👤 洛阳锟铻新材料科技有限公司
📅 2024-05-23
本发明涉及陶瓷加工技术领域，更具体的说是一种陶瓷材料及其制备工艺，包括以下步骤：步骤一、陶瓷壳倒置使自身的开口朝上；步骤二、陶瓷壳内部水平端面的四周处覆涂粘剂；步骤三、通过陶瓷材料加工装置使内框贴固于陶瓷壳的粘剂上，内框的上端设置有内螺纹孔；步骤四、底壳盖于陶瓷壳上，且底壳的边缘位于陶瓷壳边缘的内侧，使得底壳朝下时，陶瓷壳能够完全遮盖底壳，底壳上设有与内螺纹孔能够导通的通孔，通过螺丝穿过通孔旋入内螺纹孔，以将底壳固接在内框上。该陶瓷材料的外观是以陶瓷为主体，底座为耐磨磕碰的金属，适合计算机输入设备如键盘或陶瓷艺术品使用，以提高其耐用性。
📄 2023113285200
📂 F16B11_00
👤 刘英豪
📅 2023-10-14
本发明涉及一种基于SIW-CSRR结构的固体材料介电常数传感器，属于微波传感器技术领域。该传感器包括正面微带线结构，中间的介质基板和背面接地金属板；所述正面微带线结构为上下对称结构，包括50欧姆输入微带线及50欧姆输出微带线，以及基片集成波导和共面波导，正面微带线结构通过基片集成波导—共面波导—微带线转换结构实现转换，由50欧姆微带线、共面波导和基片集成波导进行激励；所述中间的介质基板两侧为金属化过孔；所述背面接地金属板通过开槽方式加载三个开口方向各不相同的互补开口谐振环。本发明具有灵敏度和选择性高，介电常数测试准确率高，测试方案简单，轮廓紧凑及制作成本低、加工简便等优点。
📄 2019106981634
📂 G01R27_26
👤 深圳泓越信息科技有限公司
📅 2019-07-30
本发明公开了一种连续相演变微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料技术领域。连续相演变微波介质陶瓷材料，其特征在于：化学通式为(1‑x)Li3MgAO5‑xLi2BO3，其中，A为Nb5+、Ta5+或Sb5+五价离子中的一种或两种的混合，B为Ti4+、Sn4+或Zr4+四价离子中的一种或两种的混合；x取值范围为0.7≤x≤0.9。微波介质陶瓷材料的晶相随着x取值的增大，从立方岩盐相向单斜岩盐相连续演变。采用本发明所述的连续相演变微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用，能够解决现有的微波介质陶瓷材料品质因数低、介电常数宽范围调节差的问题。
📄 2025114849708
📂 C04B35_462
👤 成都信息工程大学
📅 2025-10-17
柿子坊 · 知识产权运营
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