本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有部分P型漂移区的IGBT。本发明将IGBT的耐压层设置为由N型漂移区(4)和P型漂移区(5)通过上下堆叠的形式，形成具有部分P型的漂移区，从而使器件内部形成了一个肖克来(Shockley)二极管结构，此肖克来二极管由一个PNP晶体管(发射极：P+集电极，基极：N型场截止层，集电极：P型漂移区和一个NPN晶体管(发射极：N型载流子存储层，基极：P型漂移区，集电极：N型漂移区构成，从而实现了更好的导通压降与关断损耗的折中关系。
📄 202210479778X
📂 H01L29_06
👤 电子科技大学
📅 2022-05-05
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有NP堆叠漂移区的IGBT。本发明将IGBT的耐压层设置为由N型漂移区(4)和P型漂移区(5)通过上下堆叠的形式，形成NP堆叠漂移区，从而NP叠型漂移区使器件内部形成了一个肖克来(Shockley)二极管结构，此肖克来二极管由一个PNP晶体管(发射极：P+集电极，基极：N型场截止层，集电极：P型漂移区和一个NPN晶体管(发射极：N型载流子存储层，基极：P型漂移区，集电极：N型漂移区构成，从而实现了更好的导通压降与关断损耗的折中关系。
📄 2022104797934
📂 H10D62_10
👤 电子科技大学
📅 2022-05-05
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