本发明涉及陶瓷加工技术领域，更具体的说是一种陶瓷材料及其制备工艺，包括以下步骤：步骤一、陶瓷壳倒置使自身的开口朝上；步骤二、陶瓷壳内部水平端面的四周处覆涂粘剂；步骤三、通过陶瓷材料加工装置使内框贴固于陶瓷壳的粘剂上，内框的上端设置有内螺纹孔；步骤四、底壳盖于陶瓷壳上，且底壳的边缘位于陶瓷壳边缘的内侧，使得底壳朝下时，陶瓷壳能够完全遮盖底壳，底壳上设有与内螺纹孔能够导通的通孔，通过螺丝穿过通孔旋入内螺纹孔，以将底壳固接在内框上。该陶瓷材料的外观是以陶瓷为主体，底座为耐磨磕碰的金属，适合计算机输入设备如键盘或陶瓷艺术品使用，以提高其耐用性。
📄 2023113285200
📂 F16B11_00
👤 刘英豪
📅 2023-10-14
本发明公开了一种连续相演变微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料技术领域。连续相演变微波介质陶瓷材料，其特征在于：化学通式为(1‑x)Li3MgAO5‑xLi2BO3，其中，A为Nb5+、Ta5+或Sb5+五价离子中的一种或两种的混合，B为Ti4+、Sn4+或Zr4+四价离子中的一种或两种的混合；x取值范围为0.7≤x≤0.9。微波介质陶瓷材料的晶相随着x取值的增大，从立方岩盐相向单斜岩盐相连续演变。采用本发明所述的连续相演变微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用，能够解决现有的微波介质陶瓷材料品质因数低、介电常数宽范围调节差的问题。
📄 2025114849708
📂 C04B35_462
👤 成都信息工程大学
📅 2025-10-17
本发明涉及电子信息功能材料技术领域，尤其涉及一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料及其制备方法，化学式为(Y0.2B0.2C0.2D0.2E0.2)2BaZn1‑xMgxO5，其中，B、C、D、E选自La系稀有元素中的一种，0＜x＜0.1，发明还提供一种低介电高熵高Q值微波介质陶瓷材料的制备方法，包括配料、球磨、烘干过筛、预烧、造粒、模压成型、长时煅烧并退火。本发明制得的材料具有高熵化的纯相正交晶体结构，微观形貌高度致密、无气孔和无微裂纹，具有高品质因数和小的谐振频率温度系数，介电常数在14~18之间，高Q×f值在30,000到70,000 GHz之间，τf值在‑30~‑8 ppm/°C之间可调。配方中不含Pb，Cd等挥发性有毒金属，性能稳定，适用于高频化微波通信系统。
📄 2024104205697
📂 C04B35_50
👤 成都信息工程大学
📅 2024-04-09
本发明公开了三元层状MAX相陶瓷材料催化剂及其制备方法和应用，所述三元层状MAX相陶瓷材料催化剂的制备方法包括以下过程：在氟化剂的作用下，MAX相陶瓷材料中的A原子层被氟化，制得所述三元层状MAX相陶瓷材料催化剂；其中，所述MAX相陶瓷材料为Ti3AlC2、Cr2AlC、V2AlC、Nb2AlC中的至少一种。本发明方法制备三元层状MAX相陶瓷材料催化剂的周期短、且操作简单，所制备的催化剂为具有三元层状的过渡金属催化剂，其在含氟烷烃脱HF制备含氟烯烃反应中具有良好的催化活性和稳定性。
📄 2019108923864
📂 B01J27_22
👤 浙江工业大学
📅 2019-09-20
本发明公开了一种富含不饱和配位的二维陶瓷材料催化剂及其制备方法和应用，所述二维陶瓷材料催化剂的制备方法包括以下步骤：在刻蚀剂的作用下，刻蚀剂中的插层物质将MAX相材料插层剥离制得二维MXene材料，即制得所述二维陶瓷材料催化剂，所述MAX相材料为Ti3AlC2、Cr2AlC、V2AlC、Nb2AlC中的至少一种；所述刻蚀剂为盐酸与LiF的混合物，或者草酸。本发明所制备的催化剂为具有不饱和配位的二维纳米层状催化剂。本发明方法合成的催化剂含氟烷烃脱HF制备含氟烯烃反应中具有良好的催化活性和稳定性。
📄 2019108923737
📂 B01J27_22
👤 浙江工业大学
📅 2019-09-20
本发明公开了一种原位合成MAX相金属陶瓷材料的方法，将Ti、Si、TiC、Al四种粉末按1：1.2：(2.0～2.4)：0.3的摩尔比混合，再将混合原料粉末、氧化铝研磨球和无水乙醇放入研磨罐中，将研磨罐放入行星球磨机进行球磨，得到混合浆料，烘干后，得到混合粉末，将其装入石墨模具中，然后放入快速热压炉中，升温至1250～1450℃，保温烧结5～15分钟，最后随炉降温，即得。本发明方法制备的材料具有强度高、韧性好、导电性好、自润滑性能优异、耐高温和腐蚀性能好等优点，能满足在苛刻极端环境下的应用要求。与传统热压烧结技术相比，本发明方法能有效地防止晶粒长大，起到细晶强化作用，提升了材料的强度和韧性。
📄 2022110002597
📂 C22C1_051
👤 盐城工学院, 盐城中泰新材科技有限公司
📅 2022-08-19
本发明属于高温压电陶瓷材料领域，具体涉及兼具高压电性能和低损耗的钛酸锶铋—钪酸铋—钛酸铅系高温压电陶瓷材料及其制备方法。该压电陶瓷材料的化学通式为x(Sr0.7Bi0.2)TiO3‑(1‑x‑y)BiScO3‑yPbTiO3‑1mol%MnO2，其中0.01≤x≤0.04，0.62≤y≤0.64。本发明制备的陶瓷材料的介电损耗在室温到高温范围内大幅度降低，还保持了高压电性能和高居里温度，满足高温压电传感器对压电功能元件的要求，制备工艺简单、烧结温度低、成本低、适宜于大规模的工业化生产，在高温压电加速度计传感器件、高温压电阀和高温压电马达驱动器、高温压电能量收集等方面具有广泛的应用前景。
📄 2021107096537
📂 C04B35_472
👤 济南大学
📅 2021-06-25
本发明涉及一种氧化锆陶瓷的制备方法，采用低毒的凝胶体系及分散剂，制备出高固相的浆料，再加引发剂，经真空脱泡后，将浆料注入模具，固化后脱模，得到生坯，干燥后烧结成陶瓷。本发明制备了表面光洁、不起皮、不开裂、均匀性好、强度高的生坯，其强度在20～40MPa，可直接进行机械加工，有效降低了后续加工成本；可一次烧结成瓷，成品率达100％，陶瓷性能优异，稳定性好，强度为800～1200MPa，断裂韧性为10～20MPa·m1/2，较干压成型陶瓷强度平均为550MPa，断裂韧性平均为8MPa·m1/2，其性能有了很大提高。
📄 2010105525652
📂 C04B35_48
👤 南京工业大学
📅 2010-11-19
本发明涉及一种原位(TiB2+SiC)/Ti3SiC2复相陶瓷材料，其特征在于：由层状Ti3SiC2基体和柱状TiB2、颗粒状SiC两种增强相组成；其中TiB2占复相陶瓷材料总体积的13～15％，SiC占复相陶瓷材料总体积的5～15％。其制备步骤为：将原料TiH2粉、Si粉、TiC粉、B4C粉和Al粉按摩尔配比为(0.9～1.3)∶(1)∶(1.4～1.6)∶(0.15～2.1)∶(0.13～0.16)称量，原料混匀后装入石墨模具中冷压成型，在通有保护气氛的石墨电阻炉内热压烧结。本发明工艺简单，材料性能优异。
📄 201110024117X
📂 C04B35_515
👤 南京工业大学
📅 2011-01-21
本发明公开了一种含Sn中介微波介质陶瓷材料及其制备方法，该含Sn中介微波介质陶瓷材料的化学式为CoSnNb2O8以及采用该物质制得的化学通式为(1‑x)CoSnNb2O8‑xZn1.01Nb2O6的微波介质陶瓷材料，其中，x为Zn1.01Nb2O6的摩尔分数，0.40≤x≤0.60。制备方法包括以下步骤：配料、球磨、预烧合成、二次球磨、造粒、成型、排粘和烧结。本发明通过特定的原料组成，并结合特定的工艺制备了一种中介、低损耗微波介质陶瓷材料，该材料烧结温度低，而且谐振频率温度系数接近零，可广泛应用于各种介质谐振器和滤波器等器件。
📄 2018104822766
📂 C04B35_495
👤 西华大学
📅 2018-05-18
本发明涉及一种应用于储能的K2O‑Na2O‑Nb2O5‑SiO2‑B2O3系统玻璃陶瓷材料及其制备方法，是由摩尔比为15：15：30：4：2：(2～5)的K2CO3、Na2CO3、Nb2O5、SiO2、H3BO3以及BaF2经混合熔融、成型、退火及晶化处理制得的。本发明原料中具备碱金属氧化物，在玻璃系统中作为网络外体存在，破坏玻璃网络结构，因此简化了玻璃配方，不仅降低了成本也在根本上减少了析出杂相的种类，采用熔融法，原料高度均匀反应，实验操作简单，经过退火后能够有效消除内部应力，同时晶化处理时采用分段保温，让晶相生长更加完全，析晶更彻底，并利于得到内部晶粒更细、均匀化程度更高和储能密度更高的玻璃陶瓷。
📄 2015106078841
📂 C03C10_00
👤 陕西科技大学
📅 2015-09-22
本发明公开了一种正温度系数硅酸盐微波介质陶瓷材料及制备方法，原料成分为BaCO3、SiO2、Y2O3，所述原料成分以Ba9Y2Si6O24(BYS)化学计量比进行配比，本发明采用传统的高温固相反应法，制备方法简单，生产成本较低，通过设定不同的烧结温度，能够得到一种微波性能良好的低介电常数的微波介质陶瓷材料。
📄 2016100996647
📂 C04B35_01
👤 杭州电子科技大学
📅 2016-02-24
柿子坊 · 知识产权运营
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