本发明属于二进制数据存储技术领域,具体涉及一种表面工程改性二维碳化钛忆阻器及其制备和应用。该表面工程改性二维碳化钛忆阻器,包括导电基底层、金属电极层以及设置在所述导电基底层与金属电极层之间的功能薄膜层;所述功能薄膜层包括改性二维碳化钛层和设置在所述改性二维碳化钛层两侧表面的氧化石墨烯层,所述改性二维碳化钛层为天青石蓝改性二维碳化钛层。本发明通过表面工程修饰解决了二维碳化钛类金属导电性问题,扩宽了其在数据存储领域的应用;采用叠层结构的策略解决了单层结构二维碳化钛忆阻器的性能不稳定的问题,有望应用于存储领域。
📄 2022115386095
📂 H10N70_20
👤 苏州科技大学
📅 2022-12-01