本发明公开了一种5G频段的射频功率放大器控制电路，NPN型三极管与N沟道MOS管连接，用于接收数字集成芯片的时序控制引脚输出的时序信号进行负压电平转换生成静态工作电平；数字模拟转换器，用于接收数字集成芯片的不同占空比信号生成不同模拟信号；P沟道MOS管分别与N沟道MOS管、数字模拟转换器和运算放大器连接，用于控制是否接通与数字模拟转换器的连接；在接收到静态工作电平时，P沟道MOS管接通与数字模拟转换器的连接，将数字模拟转换器生成的不同模拟信号输出至运算放大器，通过运算放大器驱动使能GaN功率放大器的栅源电压幅度生成静态工作点的栅源电压幅度输出。从而实现了集成式的GaN功率放大器控制栅压功能。
📄 2022113950399
📂 H03F1_02
👤 广东省新一代通信与网络创新研究院
📅 2022-11-09
本发明公开一种双频高效率异相功率放大器的设计方法。本发明基于组合器二端口电压电流模型分析构造传输矩阵，通过对网络的拆分综合，基于LM优化技术算法，实现对双频组合器网络的综合。本发明能更好地增强异相功率放大器的效率特性，提高设计灵活性，能够适用于任意结构的输出组合器中并联网络结构。本发明在高效率功率放大器应用背景下，针对多频带高效率高回退的需求，具有结构灵活、设计步骤流程化、适用性更加广泛的优点。
📄 202110165982X
📂 H03F3_189
👤 绍兴杭电集成电路研发有限公司
📅 2021-02-03
本实用新型涉及射频拉远装置技术领域，公开了功率放大光纤射频拉远装置，本实用新型包括承载箱、隔热罩、集成电子模块，隔热罩通过螺栓连接固定于承载箱的上端，隔热罩包括承托盘和隔热覆盖层，隔热覆盖层铺设于承托盘内，承托盘上左右对称设有上下贯通的漏水孔，漏水孔内塞装设有海绵塞，承载箱包括箱体和铰接于箱体上的箱门，箱体内螺栓连接设有直角板，集成电子模块固定连接于直角板上，集成电子模块的上下左右及前后侧均不与箱体接触。本实用新型通过根据日照方向及日照斜射角确定隔热罩的安装位置，使得承载箱在晴朗的天气下整天不受阳光直射，光照直射隔热覆盖层后将被部分反射，被吸收后升温由于白色石英砂多孔隙结构也能快速进行散热。
📄 2022209941636
📂 H05K5_02
👤 浙江中征通信科技有限公司
📅 2022-04-27
本实用新型属于无线移动通信射频放大技术领域，公开了一种基于单路模拟预失真芯片的多频段射频功率放大装置，包括：射频公共放大电路、单通道预失真芯片、单刀多掷射频开关、多频段射频功率放大模块；单刀多掷射频开关包括第一单刀多掷射频开关和第二单刀多掷射频开关；多频段射频功率放大模块包括至少两路射频功率放大电路，每路射频功率放大电路包括驱动放大器、Doherty放大器、反馈耦合器。本实用新型提供的射频功率放大装置具有低成本、小体积、多频段、高效率、高线性的优点。
📄 2018204290149
📂 H03F1_02
👤 中信科移动通信技术股份有限公司
📅 2018-03-28
本发明公开了伪Doherty式自输入控制的负载调制平衡类功率放大器及其实现方法，包括两个正交耦合器、两个功率放大电路、控制信号电路、功分器、相位延迟线和隔离电阻，其中，控制信号电路通过将功分器输出的信号进行功率放大来实现所需的控制信号。同时，将平衡类功放设置成峰值功放，控制信号电路设置成载波功放，来构成类似于Doherty的结构特征。对于现有技术，本发明通过使用正交耦合器引入自输入的控制信号来实现的负载调制类功率放大器，增大了负载调制类功率放大器的工作带宽，并且将平衡类功放当作峰值功放，控制信号电路当作载波功放，来构成类似于Doherty的结构特征，提高了负载调制类功放功率回退范围和此范围内的效率。
📄 2020104519959
📂 H03F1_07
👤 深圳万知达技术转移中心有限公司
📅 2020-05-25
本发明公开一种适用于射频微波功率放大器芯片的宽带匹配方法，应用于无线通信领域，针对现有的连续类功放设计的实频宽带匹配方法以及高阶滤波器结构宽带匹配方法均存在的弊端：计算复杂、匹配电路结构复杂、插损大，微带线实现方式不适用于功率放大器芯片的集成的问题；本发明基于集总参数元器件实现的适用于功率放大器芯片的双极点宽带匹配方法，有效避免传统宽带匹配方法的计算复杂、匹配电路结构复杂、插损大、不适用芯片高集成度设计宗旨的问题。且该方法还可以移植到固态功率放大器模块的设计中，为功率放大器的设计研究者提供一种全新的宽带匹配设计方法与思路，具有相当的科学研究和商业应用价值。
📄 2023101663082
📂 G06F30_373
👤 电子科技大学
📅 2023-02-24
本发明公开了基于开口谐振环的高效率宽带射频功率放大器及其设计方法，至少包括宽带输入匹配网络、晶体管电路及输出匹配网络，其中，所述输出匹配网络至少设置开口谐振环二次谐波匹配网络和宽带基波匹配网络，所述开口谐振环二次谐波匹配网络由一个二端口矩形双环开口谐振环构成。采用本发明技术方案，利用开口谐振环在其阻带的低电阻的特性来进行对输出端二次谐波的匹配，并且二次谐波匹配与基波匹配分开进行，可以同时满足二次谐波与基波都能很好的匹配到最佳输出阻抗，从而提高漏极效率与工作带宽。
📄 2022114106063
📂 H03F1_02
👤 杭州电子科技大学,杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
📅 2022-11-11
本发明公开了一种双频大回退Doherty功率放大器及其设计方法，包括非对称功分器、载波功率放大模块、峰值功率放大模块和合路阻抗匹配网络，利用左右手复合线理论构建了双频移相器。双频移相器实现任意两个频段的任意相移，使得峰值功率放大模块的输出匹配网络在小信号输入状态时，其S参数能够尽可能的贴近开路点附近，能够进一步的提高非对称Doherty功率放大器的回退区间。
📄 202210687536X
📂 H03F1_02
👤 杭州电子科技大学,杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
📅 2022-06-16
本发明公开了基于椭圆低通滤波匹配网络的超宽高效逆F类功率放大器，其中栅极直流偏置网络用于提供功率放大晶体管工作所需的栅极偏置电压；漏极直流偏置网络用于提供功率放大晶体管工作所需的漏极偏置电压；输入端阻抗匹配网络包括微带线、隔直电容以及RC并联电路；输出端阻抗匹配网络包括谐波控制网络和椭圆低通滤波匹配网络，其中，谐波控制网络选取通带外的两个频率点进行二次谐波控制；椭圆低通滤波匹配网络基于一个六阶切比雪夫低通滤波器改进得到，在工作频带外产生两个传输零点，实现基波阻抗到二次谐波阻抗的转换。本发明使得功率放大器在超五倍频的工作带宽内实现高效率和高增益。
📄 202210322208X
📂 H03F1_42
👤 杭州电子科技大学,杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
📅 2022-03-29
本发明公开了一种高线性度GaN HEMT射频功率放大器电路，设置多个GaN HEMT管芯，每个GaN HEMT管芯的漏极连接在一起作为输出端，每个GaN HEMT管芯的栅极连接在一起作为输入端，每个GaN HEMT管芯的源极接地，其中，输出端并接谐振网络，每个GaN HEMT管芯栅极均并接第一电感L1和第二电感L2。采用本发明的技术方案，将GaN HEMT管芯并联，在并接的漏极端口到地并联一个谐振网络以及在每个GaN HEMT管芯的栅极端口并联两个到地电感，从而利用电路结构的优化消除寄生电容的影响，有效改善电路的线性度。
📄 2022101112117
📂 H03F1_32
👤 杭州电子科技大学,杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
📅 2022-01-28
本实用新型涉及无线信号中继技术领域，尤其涉及一种接收信号功率放大电路、手机信号放大器。所述接收信号功率放大电路包括：第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容和第六电容；第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻和第七电阻；第一三极管和第二三极管。接收信号功率放大器通过在分别在第一三极管和第二三极管的基极接入第一电容和第四电容，以及分别在第一三极管的集电极和第二三极管集电极处接入第一电感和第二电感，以此减弱第一三极管和第二三极管内部的集电结电容，减少三极管带来的非线性影响因素，进而提高放大电路放大信号的相位平坦度和振幅平坦度，增强手机信号放大器对信号的放大效果。
📄 2022233145980
📂 H04B1_16
👤 佛山市林创科技有限公司
📅 2022-12-12
已申报项目
本发明公开了一种宽带连续型Doherty功率放大器的设计方法，至少包括以下步骤：步骤S1：根据目标频带设计一宽带等分功分器；步骤S2：构建Doherty功率放大器结构，在目标频带内，对所使用的功率放大器进行源牵引和负载牵引，得到最佳功率和最佳效率点的阻抗；步骤S3：根据步骤S2得到的最佳源阻抗设计输入匹配电路；步骤S4：根据步骤S2得到的最佳负载阻抗设计载波功放的阻抗匹配网络；步骤S5：根据步骤S2得到的最佳负载阻抗设计峰值功放的阻抗匹配网络；步骤S6：设计后匹配电路；步骤S7：设计相位补偿线电路；步骤S8：将上述设计电路搭建为整体电路，得到宽带连续型Doherty功率放大器。
📄 2022105177801
📂 H03F1_02
👤 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司; 杭州电子科技大学
📅 2022-05-12
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