本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种铁电负电容晶体管的电路仿真模型及建模方法，包括基于漏极和源极的偏压计算源极面电荷密度和漏极面电荷密度，基于源极面电荷密度和漏极面电荷密度得到基准金属‑氧化物‑半导体‑场效应晶体管器件的沟道电流，计算MOSFET器件的栅极面电荷密度，基于栅极面电荷密度使用朗道‑哈拉特尼科夫方程进行计算，得到整个铁电器件的总栅压，基于沟道电流和总栅压构建整个铁电负电容晶体管的电路仿真模型。本发明所提出的电路仿真模型完全基于基本半导体器件物理方程，且具有显式的数学表达式，从而解决现有的建模方法精度较低和仿真速度慢的问题。
📄 2022113828787
📂 G06F30_39
👤 广西师范大学
📅 2022-11-07
本发明涉及SPICE行为模型建立、电力电子电路设计和闭环控制仿真领域，尤其是涉及的是一种适用于SPICE电路仿真的脉冲频率调制器的行为模型，该模型利用SPICE程序中的表达式功能建立脉冲频率调制器来模拟脉冲频率调制行为模型，该模型包括第一调制信号电路、第二调制信号电路、第三调制信号电路、第一比较器以及第二比较器。本发明中压控电压源的电压输入端输入的是两个电压信号，一个为与输入脉冲频率调制器的控制频率等值的电压信号，另一个为与输入脉冲频率调制器的苏区时间等值的电压信号，使得该行为模型输出的频率具有可调节性且含有死区时间。
📄 2021110953390
📂 G06F30_367
👤 闽南理工学院
📅 2021-09-17
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