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一种光激发二氧化钛/四氧化三钴湿敏薄膜的制备方法,将Co3O4薄膜放入磁控溅射仪的样品台,TiO2靶材放入射频靶位,向镀膜室通入Ar气,设置TiO2射频靶位的电源功率为100W~400W,溅射时间为5min~60min,溅射同时对样品台加热,加热温度为500℃~700℃,溅射完成后,得到二氧化钛/四氧化三钴复合薄膜。本发明制备出的薄膜在可见光激发条件下对环境湿度非常灵敏,并且工艺可控性强、薄膜的组成、结构、性能易于调控,光激发下湿敏性突出。
📄 2018100920755 📂 C23C14_08 👤 陕西深蓝机电工程有限公司 📅 2018-01-30
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一种光激发二氧化钛/四氧化三钴湿敏薄膜的制备方法

2018100920755 · 陕西深蓝机电工程有限公司
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CRISPR基因编辑技术

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SiC功率器件工艺专利

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钙钛矿光伏组件技术

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