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0本发明提供了一种硅基红外上转换器件及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：利用包含醇和碱的溶液的湿刻蚀溶液刻蚀具有窗口阵列的单晶硅基底，以在所述单晶硅基底的窗口阵列上形成锥形微纳结构；利用共蒸镀法在所述锥形微纳结构的表面沉积二硒化钼薄层结构，并退火，获得二硒化钼和硅的异质结；在所述单晶硅基底的与所述窗口阵列所在表面相反的另一表面形成底电极，在所述二硒化钼和硅的异质结上依次形成有机发光层和顶电极，从而制备获得硅基红外上转换器件。本发明方案极大提高了硅基红外上转换器件的探测波段上限，最大可以将硅基红外上转换器件的探测波段上限从现有技术中的1.1μm提高至1.8μm。

0本发明提供了一种实现近红外到可见光转换的上转换器件及其制备方法，上转换器件包括：硅基探测器，用于红外光的吸收；OLED发光器件，设在所述硅基探测器上以将所述硅基探测器吸收的红外光以可见光的形式上转换成像。本发明的实现近红外到可见光转换的上转换器件具有较高的成像分辨率、高相应速度和高上转换效率，该上转换器件可以实时将700nm-1200nm的近红外光以可见光的形式成像，且该上转换器件成本低、体积小。