发明专利已授权

一种硅基红外上转换器件及其制备方法

📄 申请号：CN202111006508.9 📄 发布日：2026/07/31

著录项目信息

申请日

2021-08-30

公开号

CN113690375B

公开日

2025-07-29

申请人

苏州英凡瑞得光电技术有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10K71_16

IPC 分类号

H10K71_16 , H10K30_60 , H10K39_30 ,

技术画像

所属领域

光电子器件光电子器件红外探测半导体器件

应用场景

红外成像, 夜视设备, 光通信, 红外传感

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摘要

本发明提供了一种硅基红外上转换器件及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：利用包含醇和碱的溶液的湿刻蚀溶液刻蚀具有窗口阵列的单晶硅基底，以在所述单晶硅基底的窗口阵列上形成锥形微纳结构；利用共蒸镀法在所述锥形微纳结构的表面沉积二硒化钼薄层结构，并退火，获得二硒化钼和硅的异质结；在所述单晶硅基底的与所述窗口阵列所在表面相反的另一表面形成底电极，在所述二硒化钼和硅的异质结上依次形成有机发光层和顶电极，从而制备获得硅基红外上转换器件。本发明方案极大提高了硅基红外上转换器件的探测波段上限，最大可以将硅基红外上转换器件的探测波段上限从现有技术中的1.1μm提高至1.8μm。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种环境监测分析用移液装置

当前第 / 件

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