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本申请公开了一种基于机器视觉的晶圆半导体制造方法及系统，所述方法包括以下步骤：根据晶圆区域胶厚差异数据选择特定光照参数进行曝光，并对差异区域的显影结果对应胶体残留情况进行烘烤参数动态调整；对烘烤后的所述晶圆区域光刻胶图形进行分析后预测出刻蚀轮廓，将混合气体以线条格式通过形式实现刻蚀模拟后获得安全气体参数，对变形区域进行分级并进行刻蚀效果评定后对刻蚀操作参数进行实时调控；采用喷淋式气体对所述晶圆区域进行薄膜沉积控制操作，进行单离子‑晶格碰撞模拟后获得多离子与晶格的反应情况，并对副产物进行检测与影响分析，调控离子注入参数保证晶格安全反应，本发明具有提高准确性和高效性的特点。