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全部发明实用新型外观设计

法律状态：全部已授权审中

项目申报：全部报过没有报过

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本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种FS-IGBT器件阳极的制造方法。本发明的一种FS-IGBT器件阳极的制造方法，主要步骤为：对硅片1背面进行减薄处理；清洗硅片1背面并注入N型杂质，高温推结形成场阻止层2和表面牺牲层3；翻转硅片1完成正面制作工序；去掉硅片1背面的表面牺牲层3；清洗硅片1背面并注入P型杂质，退火形成P型集电极区10；背面金属11积淀。本发明的有益效果为，在不破坏FS层杂质分布前提下，能有效去除背部表面沾污、缺陷，并且实现方式简便、容易控制。本发明尤其适用于FS-IGBT器件阳极的制造。

📄 201310585511X 📂 H01L21_28 👤 电子科技大学,东莞电子科技大学电子信息工程研究院 📅 2013-11-19

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一种FS-IGBT器件阳极的制造方法

201310585511X · 电子科技大学,东莞电子科技大学电子信息工程研究院

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