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本发明公开了一种用于级联增强型GaN HEMT器件的低寄生参数封装结构及其封装方法，所述封装结构包括封装外壳，其中包括高压耗尽型晶体管、低压增强型晶体管、电压调整电路、第一导电基板、第二导电基板、第三导电基板、第四导电基板，低压增强型晶体管的源极、高压耗尽型晶体管的栅极和电压调整电路的下端被连接在一起并且被电连接到整个封装结构的源极引线，低压增强型晶体管的栅极电连接到整个封装结构的栅极引线，高压耗尽型晶体管的漏极电连接到整个封装结构的漏极引线，高压耗尽型晶体管的源极电连接到低压增强型晶体管的漏极和电压调整电路的上端。本发明所提供的级联增强型GaN HEMT器件通过将绑定线长度最小化实现寄身电感的优化。