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本发明涉及一种大尺寸高纯陶瓷基板的制备工艺，所述陶瓷基板以微米α‑氧化铝为主相材料，纳米γ‑氧化铝为烧结助剂，加入合适的溶剂、分散剂、粘结剂、增塑剂等添加剂，通过流延成型后热压烧结的方法制备而成。所述制备工艺采用流延成型获得薄的生坯片叠层后先排胶，再对多层坯片施加梯度压力并进行热压烧结。由于采用生胚片先排胶后高温热压烧结的工艺，生胚片中有机添加剂在排胶过程中可完全排出，避免了常规直接叠片层压后排胶导致产生的气孔、间隙等缺陷以及气体残留，大大提高了陶瓷基板的致密度以及平整度。本发明的大尺寸高纯度陶瓷基板制备工艺所制备的陶瓷基板的致密度可达99%以上、密度可达3.9g/cm3以上。