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本申请适用于数据存储技术领域，提供了一种预测SSD冷热数据的方法与装置，包括：确定固态硬盘SSD中存储的多个第一数据中每个第一数据的特征信息以及与所述每个第一数据的特征信息对应的冷热属性；根据所述每个第一数据的特征信息、所述每个第一数据的特征信息对应的冷热属性和第一函数确定第一预测模型的参数；根据所述第一预测模型和第二数据的特征信息预测所述第二数据的冷热属性。可以预测其他设备写入SSD的数据的冷热属性，并将冷热数据存储在不同区域。

本发明提供一种SSD主控芯片中对关键信号进行物理保护设计方法，所述方法包括：根据与数据安全相关的关键信号的安全等级数确定金属层数；查找关键信号在SSD芯片设计网表中的路径并根据关键信号所属的安全等级，将与所述关键信号对应的走线设计到对应的金属层中，其中，安全等级越高的关键信号所对应的走线设计到越深层的金属层中。本发明增强了SSD主控芯片的物理安全保护。

本发明公开SSD主控芯片中加速运算的优化方法和装置，获取输入的被乘数Y和乘数X，所述被乘数Y和乘数X为二进制数值，所述被乘数Y位宽和乘数X位宽都为N位，其中乘数Y和乘数X的最高位为符号位；依次获取乘数X二进制数值中每相邻三位数值大小，根据预设的表格匹配得到对应的部分积E。将每个相邻三位数值的部分积E和对应的系数22i输入到第一乘法器，第一乘法器将部分积E乘上对应的系数22i，得到第一相乘结果分别输入到第一加法器。本发明可以避免在乘数运算结果中产生负值，从而减少了大量补码运算电路。从而大量降低了算法的硬件实现代价。

本发明公开SSD主控芯片中乘法运算电路和方法，所述乘法运算电路包括位选择器、补偿值存储器、部分积运算单元、移位寄存器和缓存加法器，所述位选择器的输入端与乘数端连接，所述位选择器的次数输出端和补偿值存储器、移位寄存器和缓存加法器连接，所述位选择器的结果输出端与部分积运算单元连接，所述部分积运算单元的输入端与被乘数端连接，所述部分积运算单元的输出端与移位寄存器连接，所述补偿值存储器的输出端与移位寄存器连接，所述移位寄存器的输出端与所述缓存加法器的输入端连接。本发明可以避免在乘数运算结果中产生负值，从而减少了大量补码运算电路。从而大量降低了算法的硬件实现代价。

本发明提供了一种防SEMA攻击的待测电路安全仿真分析方法和装置，所述装置包括：关键信号存储单元，用于存储关键信号和关键信号对应的路径信息；仿真电路单元，用于接收测试激励信息进行仿真测试；关键信号监控单元，用于在仿真测试时，根据所述关键信号对应的路径信息监控所述关键信号，并在所述关键信号的变化值发生变化时，记录当前时间戳信息；电磁辐射计算单元，用于计算待测电路在整个仿真过程中的电磁辐射仿真数据；电磁辐射分析单元，用于分析同一关键信号在所述变化时间区对应的电磁辐射信息是否存在相关性，若是则导出相关数据。通过上述方案，在芯片设计阶段，就可以模拟芯片的安全仿真测试，且能够自动完成电磁辐射攻击分析。

本发明提供了一种防DEMA攻击的待测电路安全仿真分析方法和装置，所述装置包括：关键信息存储单元，用于存储关键信号和关键信号对应的路径信息；仿真电路单元，用于接收测试激励信息进行多次仿真测试；关键信号监控单元，用于在每一次仿真测试时，当所述关键信号发生变化时，记录变化时间戳信息；差分电磁辐射分析单元，用于获取每一关键信号对应的第一电磁辐射信息和第二电磁辐射信息，并计算所述第一电磁辐射信息和第二电磁辐射信息的电磁辐射差值，分析各关键信号的电磁辐射差值是否存在关联。通过上述方案，在芯片设计阶段，可以模拟待测电路的安全仿真测试，且能够自动完成差分电磁辐射攻击分析。