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本发明公开一种宽带CMOS LNA电路的噪声消除装置和方法，该装置包括一个输入级电路和两个放大器，第一放大器检测到出现在LNA输入端的噪声电压A，第一放大器将噪声电压A转化成噪声电流，输出到第二放大器的输出端，第二放大器检测到出现在输入级电路NMOS管的漏极的噪声电压B，第二放大器将其转化成噪声电流输出到LNA的输出端，选择第一放大器跨导是第二放大器跨导的函数，使得第一放大器噪声电流和第二放大器噪声电流到达LNA输出端时大小相等符号相反。两个放大器选取合适的跨导就可以让噪声电流相加后输出为零，实现噪声相消。本发明直接利用噪声在电路中的转移规律进行自相抵消，不需要加入其他额外的反馈网络器件。

本发明请求保护一种采用p+n阱型二极管结构，同时引进保护环与深n阱结构以提高单光子雪崩二极管光电探测效率；采用合适的光窗口面积和过偏压，以获得较高的光电探测效率；通过调节其他的工艺和结构参数，可对器件的光电探测效率进行进一步的优化设计。扩散n阱保护环宽度对雪崩击穿特性影响较大，保护环宽度在0.8‑1.5μm时，器件的击穿特性较好；确定好器件的探测效率和击穿电压后，通过对器件的参数进行进一步的优化设计，可以得到较好的频率响应特性。单光子雪崩二极管器件扩散n阱保护环宽度为1μm时，雪崩击穿电压为13.2V。窗口面积直径为20μm，过偏压为1V最大探测效率高达37％；窗口面积直径为10μm，过偏压为1V时最大探测效率高达52％，过偏压为2V时最大探测效率高达55％。