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本发明提供一种镍掺杂p型铜铁矿结构CuFeO2材料的制备方法,属于半导体光电材料领域。包括以下步骤:(1)将铜盐、铁盐和镍盐按摩尔比1:0.94~0.98:0.02~0.06容器中混合,将混合物加入强碱溶液中,所述强碱溶液与所述铜盐的的摩尔比是为13~110;(2)溶液搅拌均匀后在120~180℃下反应6~24 h后,随炉冷却;(3)过滤得到粗样品,将粗样品置于恒温干燥烘箱中干燥得到铜铁矿结构CuFeO2粉末。本发明主要是向p型半导体材料CuFeO2中掺入受主杂质Ni,受主杂质可以从价带中获得电子而电离,使价带中空穴的浓度增多,从而增强了半导体的p型导电能力。镍掺杂提高了铜铁矿CuFeO2的空穴载流子浓度,降低了半导体的电阻率。
📄 2019103801150 📂 C01G49_00 👤 武汉市飞瓴光电科技有限公司 📅 2019-05-08
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发明 已授权

一种镍掺杂p型铜铁矿结构CuFeO2材料的制备方法

2019103801150 · 武汉市飞瓴光电科技有限公司
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