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0本发明涉及一种新能源发电系统用高压宽输入范围GaN电源模块，包括依次连接的输入滤波模块、GaN功率因数校正模块和GaN半桥LLC变换器模块；输入高压母线Vin+和输入高压地线Vin-连接输入滤波模块，经过输入滤波模块得到输入高压母线DC，GaN功率因数校正模块将输入滤波模块得到的输入高压母线DC的输入进行功率因数校正，得到PFC高压母线Vbus和PFC低压母线Vgnd输出；GaN半桥LLC变换器模块对GaN功率因数校正模块的输出进行DC/DC变换，得到输出高压母线Vout+和输出低压母线Vout-。本发明通过保证GaN器件工作在安全区域状态，从而实现功率模块的高频化和小型化，保证高密度功率集成和高效率，可以广泛应用于新能源发电系统中。

0本发明涉及一种GaN交错并联PFC电源模块，包括EMI滤波电路、全桥整流电路、电感L1、电感L2、PFC控制器、第一栅驱动电路、第二栅驱动电路、GaN功率开关MH、GaN功率开关ML、限流电阻RH、限流电阻RL、输出二极管D1、输出二极管D2、输出电容C1、检测电路和反馈电路。电路在版图实现时采用双面布局结构，所述双面布局结构包括：分布于正面的输入高压区、输入高压直流母线DC区、输出电压区和分布于反面的低压供电区。本发明为提PFC模块的开关频率，采用LGA封装的GaN器件进行开关变换；为增大电流采用交错并联和多管并联结构；为提高可靠性和限制均流问题，采用双面布局结构对栅驱动、多管并联GaN器件和电压母线进行布局优化，从而实现高密度功率集成和高效率。

0本发明涉及一种级联增强型GaN HEMT功率模块封装结构，包括封装外壳、金属引线框架和引脚，其封装外壳内还包括：第一级联增强型GaN HEMT器件、第二级联增强型GaN HEMT器件、第三级联增强型GaN HEMT器件、第四级联增强型GaN HEMT器件、全桥栅驱动电路；每一个级联增强型GaN HEMT器件包括：高压耗尽型晶体管、低压增强型晶体管、电压调整电路、基岛、第一导电基板、第二导电基板、第三导电基板。本发明所提供的模块通过将绑定线长度最小化实现寄身电感的优化；另外，还增加了电压调整电路，保证其模块内部的高压耗尽型GaN器件工作在安全区域状态。