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0一种Mist‑CVD化学气相沉积法制备ZnS掺杂α‑Ga2O3薄膜的方法，薄膜组分如下式所示：α‑Ga2O3:x％ZnS，0.01≤x≤0.5；将C15H21O6Ga、C2H6Zn、CH4S溶于去离子水中配成前驱体溶液，加入盐酸溶液；将蓝宝石衬底依次用丙酮、乙醇、去离子水进行超声清洗，用氮气吹干后在管式炉中退火；将蓝宝石衬底置于反应腔中；向反应腔中通入氮气；将前驱体溶液放置于雾化罐中，反应温度为300‑400℃，将氮气作为载气，将雾化罐中的雾滴送进反应腔内进行沉积得薄膜初品；将薄膜初品放入管式炉中退火后得到薄膜。该方法不仅能降低薄膜的生长温度，还能提高了薄膜的自由电子浓度和电导率。