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本发明公开了一种ZnO纳米花及其制备方法。所述ZnO纳米花经过醋酸锌、碳酸锌混合溶液的制备,醋酸锌、碳酸锌混合薄膜的制备以及高温烧结三步制备完成。本发明所述ZnO纳米花呈现三维网络结构,可以在多种大尺寸衬底上实现可控生长,衬底包括玻璃、Si、蓝宝石、金属,有利于降低生产成本,而且制造设备简单,工艺成熟,方便规模化生产,本发明所述ZnO纳米花适用范围广,有望在光电探测器、气敏探测器和太阳能电池等领域发挥积极作用。
📄 2018108408271 📂 C01G9_02 👤 安徽洲际知知识产权有限公司 📅 2018-07-27
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本发明公开了一种基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜,所述基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜包括晶体Ag纳米线网格和包裹所述晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜。本发明采用基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜作为LED芯片的电流注入层,可以有效改善电流分布的均匀性,电流密度比ITO提高10%以上;与ITO相比,Ag纳米线网格增强Al掺杂ZnO薄膜的厚度减小,成本也显著降低;基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜排列的周期性好,具备一定的光子晶体的功能,有利于提高LED的正面出光效率。
📄 2018104157698 📂 H01L33_14 👤 安徽洲际知知识产权有限公司 📅 2018-05-03
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发明 已授权

一种ZnO纳米花及其制备方法

2018108408271 · 安徽洲际知知识产权有限公司
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发明 已授权

基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜及其制备方法

2018104157698 · 安徽洲际知知识产权有限公司
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预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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转让方:××大学
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交易类型:转让
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转让方:××半导体有限公司
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交易类型:转让
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