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摘 要:本发明公开了一种基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜,所述基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜包括晶体Ag纳米线网格和包裹所述晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜。本发明采用基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜作为LED芯片的电流注入层,可以有效改善电流分布的均匀性,电流密度比ITO提高10%以上;与ITO相比,Ag纳米线网格增强Al掺杂ZnO薄膜的厚度减小,成本也显著降低;基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜排列的周期性好,具备一定的光子晶体的功能,有利于提高LED的正面出光效率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810415769.8 | 专利名称: | 基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜及其制备方法 |
申请日: | 2018-05-03 | 申请/专利权人 | 五邑大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省江门市蓬江区东成村22号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L33/14搜分类 塑料 米线搜索 |
公开/公告日: | 2020-07-14 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108807628B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |