发明专利已授权

基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜及其制备方法

Name: 基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜及其制备方法
Brand: 安徽洲际知知识产权有限公司
SKU: 2018104157698
Availability: InStock

📄 申请号：CN201810415769.8 📄 发布日：2026/09/17

著录项目信息

申请日

2018-05-03

公开号

CN108807628B

公开日

2020-07-14

申请人

安徽洲际知知识产权有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L33_14

IPC 分类号

H01L33_14 , H01L33_00 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

触控屏, 显示器件, 太阳能电池, 发光二极管, 透明加热器件

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摘要

本发明公开了一种基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜，所述基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜包括晶体Ag纳米线网格和包裹所述晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜。本发明采用基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜作为LED芯片的电流注入层，可以有效改善电流分布的均匀性，电流密度比ITO提高10％以上；与ITO相比，Ag纳米线网格增强Al掺杂ZnO薄膜的厚度减小，成本也显著降低；基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜排列的周期性好，具备一定的光子晶体的功能，有利于提高LED的正面出光效率。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN108807628B

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该专利的转让价格是多少？

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240621

?? 专利权的转移：

20200714

✅ 授权

20181207

?? 实质审查的生效：

一种仿生结构两级孔Fe2O3薄膜及其制备方法

当前第 / 件

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