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本发明涉及数据处理技术领域,具体涉及一种电子元器件表面缺陷识别方法,该方法获取待识别图像;将待识别图像划分为多个图像区块,筛选出待调整区块拼接为合并区块;获取待调整区块的整体趋势方向;获取待调整区块内每个像素点的离散度方向,基于离散度方向将所有像素点分类;获取每个像素点的离散度;筛选出待处理像素点,对于同一类的待处理像素点,依据每个待处理像素点的离散度方向、离散度以及该类的待处理像素点总数量获取该类的自适应结构元;对每个待处理像素点利用对应的自适应结构元进行形态学闭运算去除噪声,得到去噪图像,通过对去噪图像进行阈值分割得到缺陷识别结果。本发明能够使图像去噪的效果更好,使缺陷结果更加准确。
📄 2022111698327 📂 G06V10_10 👤 南通蘅田电子科技有限公司 📅 2022-09-26
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发明 已授权

一种电子元器件表面缺陷识别方法

2022111698327 · 南通蘅田电子科技有限公司
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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺
预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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固态锂电池电解质专利包

转让方:中国科学院××研究所
受让方:××新能源科技有限公司
交易类型:独占许可
交易金额:¥320万
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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
受让方:××生物医药有限公司
交易类型:转让
交易金额:¥1,200万

SiC功率器件工艺专利

转让方:××半导体有限公司
受让方:××汽车电子集团
交易类型:转让
交易金额:¥680万
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钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
受让方:××能源集团
交易类型:开放许可
交易金额:¥50万/年