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本发明公开了一种巨压阻双谐振质量传感器及其制备方法，包括传感器芯片和外部电路，其特征是，所述传感器芯片包括两个通过细纳米杆相连的谐振式传感器芯片和温度补偿装置芯片，所述谐振式传感器芯片包括谐振式传感器的敏感结构、硅底层、绝缘二氧化硅层、硅顶层、铝顶层、激励电极、激励电极引出端电极和检测电极，所述硅底层、绝缘二氧化硅层、硅顶层从下至上依次设置，所述的铝顶层与硅顶层处于同一层。本发明中的单晶硅纳米谐振薄膜表面通过修饰工艺处理过，带有残余应力，比传统硅压阻式谐振膜的应变系数高约2‑3个数量级。此外，为消除温度对压阻阻值变化的影响，在本发明中引入了温度补偿装置，大大地提高了测量的分辨率与灵敏度。

本发明提供一种基于巨压阻结构的悬臂梁生化传感器及悬臂梁制作方法，该传感器的数据采集器采用具有硅铝异质结形成的巨压阻结构的悬臂梁结构，能够在相同应力条件下产生更大的电阻阻值变化，从根本上提高了生化传感器的灵敏度；采用两个相邻的共模信号补偿结构，能够保证该生化传感器的每个悬臂梁在复杂外界环境下的测量精度，降低了因个别悬臂梁失灵对测量结果产生的影响；另外，该传感器采用四线制测量方法以及信号的放大、滤波调理电路，可得到较为精准的信号，削弱噪声等外界因素对检测结果的影响，可以达到高精度、稳定测量的效果。