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发明专利
已授权
一种巨压阻双谐振质量传感器及其制作方法
📄 申请号:CN201610213732.8
📄 发布日:2025/12/23
著录项目信息
申请日
2016-04-07
公开号
CN105758501B
公开日
2018-09-14
申请人
南京知行慧芯科技有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
G01G3_13
IPC 分类号
G01G3_13
,
B81B7_00
,
B82Y40_00
,
技术画像
所属领域
微机电系统
微机电系统
谐振传感器
压阻传感器
应用场景
微量物质检测, 环境监测, 生物传感, 医疗诊断, 工业过程控制
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摘要
本发明公开了一种巨压阻双谐振质量传感器及其制备方法,包括传感器芯片和外部电路,其特征是,所述传感器芯片包括两个通过细纳米杆相连的谐振式传感器芯片和温度补偿装置芯片,所述谐振式传感器芯片包括谐振式传感器的敏感结构、硅底层、绝缘二氧化硅层、硅顶层、铝顶层、激励电极、激励电极引出端电极和检测电极,所述硅底层、绝缘二氧化硅层、硅顶层从下至上依次设置,所述的铝顶层与硅顶层处于同一层。本发明中的单晶硅纳米谐振薄膜表面通过修饰工艺处理过,带有残余应力,比传统硅压阻式谐振膜的应变系数高约2‑3个数量级。此外,为消除温度对压阻阻值变化的影响,在本发明中引入了温度补偿装置,大大地提高了测量的分辨率与灵敏度。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
一种磁通可控的轴向磁场混合永磁记忆电机
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