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本发明公开了一种MeV能区质子导致SRAM发生单粒子翻转的快速分析方法，该方法包括依据SRAM的器件结构，建立靶材几何模型；构建材料参数数据库；采用连续能量损失模型与离散散射模型相结合的混合算法，基于材料参数数据库，迭代模拟质子在所述靶材几何模型中的输运过程并获取其在敏感体积中的总能量沉积；将每个质子在敏感体积中的总能量沉积与预设的能量沉积阈值进行比较，若超过阈值则判定发生一次单粒子翻转事件，并统计事件总数；基于事件总数、入射的质子总数、SRAM的总比特数以及靶材几何模型的表面积，获取单粒子翻转截面。

本发明公开了一种绕行因子驱动的离子散射径迹簇的快速模拟方法，包括构建基础辐射参数表；依据基础辐射参数表，搜索离散能量点，形成查找表；依据查找表中每个离散能量点的绕行因子变化量，确定离散能量点对应的散射角分布特征参数，并基于散射角分布特征参数，生成散射角样本并存储于散射角样本池；初始化三维网格，设定入射离子的初始的位置与方向；进行入射离子输运与能量沉积循环；将多个入射离子的模拟任务并行执行，各自在独立的三维网格副本中进行入射离子输运与能量沉积循环，最终合并所有三维网格副本得到总的剂量分布。本方法在计算效率与精度之间取得了最优平衡，从而生成高保真的三维剂量分布图。