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本发明公开了一种新的碳化硅生产工艺，包括以下步骤：S1：将碳源和氯化钠放置于合成反应容器底部，再次除去部分杂质；S2：将预处理后的硅源，放置于提纯容器底部，并分步骤逐渐升温至2250℃，除去低沸点杂质；S3：在步骤S2的提纯容器底部通入惰性气体，进一步除去低沸点杂质，之后进入合成反应器，进入合成反应器的气相硅将合成反应器中碳源温度逐渐加热，反应时间10~20h，得到碳化硅粗品；S4：将步骤S3得到的碳化硅粗品提纯后，纯度＞99.999%。本发明的制备方法简单，成本低廉，减少CO2排放量，可生产出更高纯度的碳化硅，制备的碳化硅纯度大于99.993%，用于电子产品和芯片等领域。