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本发明涉及传感器领域,具体是一种高稳定性单晶硅压差传感器,包括传感器壳体,所述传感器壳体的内侧设有中隔板,中隔板上安装有单晶硅传感器芯片,单晶硅传感器芯片的左右侧空间分别为传感器正压腔和传感器负压腔,单晶硅传感器芯片的左右两侧还分别配合连接有第一过压保护膜和第二过压保护膜,第一测量腔的端口安装有第一隔离波纹片,第二测量腔的端口安装有第二隔离波纹片,传感器正压腔内还周向分布设有多个第一通油腔道,传感器负压腔内还周向分布设有多个第二通油腔道。本发明稳定性高,传感器的测量准确性和精度佳,能够适用于复杂的工况,值得推广。
📄 2020115589103 📂 G01L13_06 👤 上海艾靳智能科技有限公司 📅 2020-12-25
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发明 已授权

一种高稳定性单晶硅压差传感器

2020115589103 · 上海艾靳智能科技有限公司
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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺
预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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固态锂电池电解质专利包

转让方:中国科学院××研究所
受让方:××新能源科技有限公司
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交易金额:¥320万
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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
受让方:××生物医药有限公司
交易类型:转让
交易金额:¥1,200万

SiC功率器件工艺专利

转让方:××半导体有限公司
受让方:××汽车电子集团
交易类型:转让
交易金额:¥680万
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钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
受让方:××能源集团
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交易金额:¥50万/年