发明专利已授权

一种高稳定性单晶硅压差传感器

📄 申请号：CN202011558910.3 📄 发布日：2025/10/10

著录项目信息

申请日

2020-12-25

公开号

CN112729666B

公开日

2021-10-22

申请人

上海艾靳智能科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01L13_06

IPC 分类号

G01L13_06 , G01L19_00 , G01L19_14 ,

技术画像

所属领域

单晶硅传感器技术微机电系统半导体材料单晶硅

应用场景

工业过程控制, 汽车压力监测, 航空航天测压, 医疗设备压力检测, 智能设备压力感应

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摘要

本发明涉及传感器领域，具体是一种高稳定性单晶硅压差传感器，包括传感器壳体，所述传感器壳体的内侧设有中隔板，中隔板上安装有单晶硅传感器芯片，单晶硅传感器芯片的左右侧空间分别为传感器正压腔和传感器负压腔，单晶硅传感器芯片的左右两侧还分别配合连接有第一过压保护膜和第二过压保护膜，第一测量腔的端口安装有第一隔离波纹片，第二测量腔的端口安装有第二隔离波纹片，传感器正压腔内还周向分布设有多个第一通油腔道，传感器负压腔内还周向分布设有多个第二通油腔道。本发明稳定性高，传感器的测量准确性和精度佳，能够适用于复杂的工况，值得推广。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种人工水草净水装置

当前第 / 件

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