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本发明涉及光刻技术领域,具体来说是一种使光刻线条变窄的方法及光刻机,进行至少两次曝光,以在所述的至少两次曝光的重叠部分形成所需的光刻部。本发明同现有技术相比,组合结构简单可行,其优点在于:原创性地设计了使光刻线条变窄的方法,通过至少两次的先后曝光,在曝光的重叠部分形成所需的光刻部,其能够克服现有技术的不足满足纳米级的曝光需求,且有助于降低光刻工艺的成本;还设计了实现掩膜版位移的具体方法和设备结构,实现了纳米级和亚纳米级的掩膜版位移。
📄 2021102538803 📂 G03F7_20 👤 上海大溥实业有限公司 📅 2021-03-09
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发明 已授权

使光刻线条变窄的方法及光刻机

2021102538803 · 上海大溥实业有限公司
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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺
预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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固态锂电池电解质专利包

转让方:中国科学院××研究所
受让方:××新能源科技有限公司
交易类型:独占许可
交易金额:¥320万
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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
受让方:××生物医药有限公司
交易类型:转让
交易金额:¥1,200万

SiC功率器件工艺专利

转让方:××半导体有限公司
受让方:××汽车电子集团
交易类型:转让
交易金额:¥680万
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钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
受让方:××能源集团
交易类型:开放许可
交易金额:¥50万/年