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摘 要:本发明公开了一种新型g‑C3N4/NiO光电产氢电极的制备方法,属于无机化学和光电催化技术领域。所述的g‑C3N4光吸收剂,是一种非金属,无毒且易得的材料。本发明解决了现有技术中一般使用有毒的金属镉系硫属化合物为吸光剂的问题,首次采用g‑C3N4作为光电阴极吸光剂和助催化剂。本发明的制备方法如下:一、以FTO导电玻璃为基底,采用水热法制得有序的NiO膜;二、把上一步制得的NiO/FTO电极浸泡在饱和硫脲溶液中4h,置于马弗炉中,500℃煅烧2h,取出即得g‑C3N4/NiO/FTO电极。制备方法简便易行,有利于大规模应用。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201510686192.0 | 专利名称: | 一种g-C3N4/NiO光电阴极的制备方法 |
申请日: | 2015-10-21 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01G9/042搜分类 C 港口 阴极搜索 |
公开/公告日: | 2018-01-23 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN105336498B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |