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摘 要:本发明涉及一种GaN基无荧光粉自发白光LED芯片结构及其制备方法,其中制作方法包括:在蓝宝石衬底上依次沉积GaN缓冲层、N型GaN、二氧化硅薄膜。利用光刻技术沿蓝宝石衬底[1‑100]和[11‑20]晶向在所述的SiO2薄膜上进行刻蚀,制备SiO2掩膜。在二氧化硅掩膜层上依次生长N型GaN、InGaN/GaN量子阱、P型GaN、透明导电层以及制备N型和P型电极。本发明兼顾目前的常用的半导体器件生产工艺流程,可以实现在无荧光粉的条件下出射白光,避免了荧光粉对白光LED的衰减作用的影响。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710270077.4 | 专利名称: | 一种GaN基无荧光粉自发白光LED芯片结构及其制备方法 |
申请日: | 2017-04-24 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L33/00搜分类 LED LED芯片搜索 |
公开/公告日: | 2017-06-20 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN106876544A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |