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摘 要:一种高压双向瞬态电压抑制器,属于集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域,可用于提高片上IC和电子产品的系统可靠性。主要由P衬底、N型埋层、P阱、第一N型中掺杂区、第二N型中掺杂区、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第二N+注入区和金属线构成。该器件通过引入高掺杂P+注入区,调节两个N型中掺杂区之间的间距,以及设计中心轴对称的剖面结构,使器件在正、反向电学应力作用下,可形成具有强抗闩锁能力的SCR电流泄放路径,实现双向ESD或瞬态浪涌防护。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810715229.1 | 专利名称: | 一种高压双向瞬态电压抑制器 |
申请日: | 2018-07-03 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市蠡湖大道1800号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L27/02搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2020-07-24 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108807374B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |