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摘 要:本发明公开了一种小回滞双向瞬态电压抑制器及其应用,属于集成电路半导体技术领域。由P衬底、第一高压深N阱、第二高压深N阱、第一、第二、第三及第四N阱、第一、第二及第三P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第二N+注入区、第一多晶硅栅及其覆盖的第一薄栅氧化层和第二多晶硅栅及其覆盖的第二薄栅氧化层构成。在ESD应力作用下,一方面通过关态PMOS和开态PMOS串联构成辅助触发SCR路径,降低器件触发电压,提高鲁棒性,另一方面通过高压深N阱和浮空N阱延长电流泄放路径,降低SCR结构正反馈程度,提高维持电压,且器件呈对称结构,具有双向过压、过流防护或抗浪涌功能。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811619461.1 | 专利名称: | 一种小回滞双向瞬态电压抑制器及其应用 |
申请日: | 2018-12-28 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市蠡湖大道1800号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L27/02搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2021-03-02 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN109698195B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |