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摘 要:本发明提供一种CMOS辅助触发SCR结构的高压保护集成电路,属于集成电路的静电放电与浪涌防护领域。该高压保护集成电路包括嵌入式CMOS、SCR结构和金属线。本发明利用SCR的强ESD鲁棒性优点,通过在电路中嵌入MOS管结构,可实现快速响应和抗闩锁特性,并且,通过SCR与寄生三极管及MOS管并联导电,可达到较高的ESD电流泄放效率。此外,通过电路单元结构及版图设计优化,减少掩膜版数量,可在保证占用较小的芯片面积同时,兼顾较优的工艺兼容性及较低的制造成本。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011437392.X | 专利名称: | 一种CMOS辅助触发SCR结构的高压保护集成电路 |
申请日: | 2020-12-11 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市蠡湖大道1800号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L27/02搜分类 集成电路 辅助 SCR搜索 |
公开/公告日: | 2023-06-27 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN112563261B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |