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摘 要:基于环阵列的GHz多频带高Q值透射型传感器,包括:绝缘基板;金属层,被设置在绝缘基板表面;覆盖层,被设置在绝缘基板和金属层表面;其中,所述金属层包括四个L形部件以及四个T形部件,四个所述T形部件的尾部相连,四个L形部件包围在四个所述T形部件的外围,四个L形部件以及四个T形部件构造成中心对称分布的形状;当光入射到金属–绝缘介质结构时,在2‑8.5GHz工作范围内会出现5个窄带透射峰,然后在添加0.6μm厚度的覆盖层,以第四个透射峰值作为传感器工作频率,改变覆盖层的折射率,最终得到了最高灵敏度为0.532GHz/RIU,线性拟合R2值为0.9669,Q值最高为113.42,最低为59.03,达到了高的Q值。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011535949.3 | 专利名称: | 开口环阵列多频带高Q值透射型传感器及其制造方法 |
申请日: | 2020-12-23 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G01N21/59搜分类 传感器 阵列搜索 |
公开/公告日: | 2022-05-10 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN112730343B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |