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摘 要:本发明公开了一种双向内嵌MOS管的静电浪涌防护集成电路及方法,属于集成电路的静电放电及浪涌防护领域。所述集成电路包括:稳压钳位电路、NMOS开关控制电路和主电流泄放电路。本发明利用两个稳压二极管构成稳压钳位电路,为集成电路内部NMOS开关控制电路提供持续稳定的电压,避免了使用外部电源提供控制电压造成面积利用率低的问题;同时,利用主电流泄放电路提供大电流泄放路径,增强电路的鲁棒性。本发明的集成电路具有面积效率高、开启速度快、静电或浪涌鲁棒性强及双向静电或浪涌防护等优点,可应用于集成电路双向数据收发端口和通信端口,也可用于工作电压在3至6V的正反向供电的电子设备电源端口或插拔接口。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202111472592.3 | 专利名称: | 一种双向内嵌MOS管的静电浪涌防护集成电路及方法 |
申请日: | 2021-11-30 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H02H9/04搜分类 集成电路 防护搜索 |
公开/公告日: | 2022-09-27 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN114069583B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |