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摘 要:本发明涉及一种基于扩散限制凝聚(Diffusion-limited Aggregation,DLA)原理,制备过渡金属镍、钴及其氧化物纳米结构的方法,属于纳米材料技术领域。其主要过程为:以镍、钴的金属片作为反应源,放置在填满氯化钠石英容器内,并对容器进行加热。当温度达到1000℃以上时,氯化钠变为熔融态。由于氯离子有较强的腐蚀性,金属镍、钴被腐蚀而产生镍、钴的金属离子,并扩散出来。当金属离子达到一定的浓度时,以扩散作用为主要生长动力,按照自组装方式一个一个聚集在金属片表面,从而形成镍、钴的金属纳米结构。在反应过程中,通入适量的氧气,则发生氧化反应。最后形成镍、钴氧化物的纳米结构。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201210176695.X | 专利名称: | 一种基于扩散限制凝聚(DLA)原理制备镍、钴及其氧化物纳米结构的方法 |
申请日: | 2012-06-01 | 申请/专利权人 | 长春理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C01G51/04搜分类 L LED芯片 纳米搜索 |
公开/公告日: | 2013-01-30 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN102897851A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |