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摘 要:本申请提供了一种新型低温共烧陶瓷材料及其制备方法,所述低温共烧陶瓷材料包含质量百分比为80%‑40%MgGa2O4和质量百分比为20%‑60%的CuMoO4。由于CuMoO4具有超低的烧结温度,无需额外添加玻璃或低熔点氧化物即可实现MgGa2O4的低温烧结。此外,通过调节MgGa2O4和CuMoO4的质量百分比,可使所述低温共烧陶瓷材料的介电常数为5.6~6.9;Q×f值9000~16000 GHz;谐振频率温度系数为‑65~‑42 ppm/℃。所述新型低温共烧陶瓷材料有望成为集成电路基板、射频元器件及电子封装设备制造的关键基础材料。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202310343496.1 | 专利名称: | 一种新型低温共烧陶瓷材料及其制备方法 |
申请日: | 2023-04-03 | 申请/专利权人 | 山东理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省淄博市张店区新村西路266号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C04B35/495搜分类 冰箱冰柜 陶瓷材料 材料及其制备方法 低 港口搜索 |
公开/公告日: | 2023-05-02 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN116041062A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |