咨询电话:13280638997
传真:0533-3110363
邮箱:kefu@shizifang.com
摘 要:本发明属于半导体材料制备技术领域,公开了一种采用新原料生长碲化铜的方法、碲化铜及应用,将衬底,碘化亚铜和碲粉,依次放置后,利用化学气相沉积法生长少层碲化铜二维材料,生长时间30min‑1h,生长温度500℃‑800℃。本发明提供了一种采用新原料生长碲化铜的制备方法,原料碲化铜价格低廉,生长过程简单,可重复性高,安全环保,有效克服了现有技术中制备方法能耗高,时间长的缺点,且本发明的制备方法中所需设备简单,在实验室研究和工业应用方面都具有较高的推广价值。本发明所提供的制备方法得到的碲化铜结晶性好,产量大,容易转移,为大批量生产碲化铜提供理论参考。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010807255.4 | 专利名称: | 一种生长碲化铜的方法、碲化铜及应用 |
申请日: | 2020-08-12 | 申请/专利权人 | 湖北工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 湖北省武汉市洪山区南李路28号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C01B19/00搜分类 生长搜索 |
公开/公告日: | 2022-02-22 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN111874876B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |