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摘 要:本发明公开了一种基于自激励单电子自旋电磁晶体管的应用电路,包括由自激励单电子自旋电磁晶体管和环路电阻R1组成的squit环,自激励单电子自旋电磁晶体管的源极、漏极与源漏极电压Vds1连接,栅极与栅极电压Vg连接,squit环的右侧与射频电路形成互感,左侧通过栅极电压Vg与待测电压Vs连接,自激励单电子自旋电磁晶体管包括设置有纳米碳化硅薄膜结构、源极、漏极、栅极的衬底,纳米碳化硅薄膜结构由层状纳米碳化硅单晶体薄膜互嵌构成,纳米碳化硅薄膜结构的两端分别与源极和漏极接触,形成源漏极有源区,纳米碳化硅薄膜结构的上部依次设置有绝缘层、接触金属层,栅极从接触金属层引出。本发明具有灵敏度高、测量准确的特点。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810064664.2 | 专利名称: | 基于自激励单电子自旋电磁晶体管的应用电路 |
申请日: | 2018-01-23 | 申请/专利权人 | 湖北工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 湖北省武汉市洪山区南李路28号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G01R33/06搜分类 电子 电路搜索 |
公开/公告日: | 2018-07-31 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108344956A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2020/06/12 | 授权 | |
2018/08/24 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): G01R 33/06 专利申请号: 201810064664.2 申请日: 2018.01.23 |
2018/07/31 | 公开 |