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摘 要:本发明公开了一种InGaN/GaN LED纳秒脉冲驱动电路,利用电流脉冲峰值技术,肖特基二极管SBD1和SBD2和电容C构成的回路会产生电流峰值,从而可以使光脉冲的上升时间缩短几个纳秒,缩短了光脉冲的上升时间;第一电感L1连接在LED阴极与偏压电源Vcc之间,在电流脉冲下降的阶段,利用电感提供的反向电流回路,产生一个下冲电流,从而可减小光脉冲的下降时间,以加速LED熄灭,大大的改善光脉冲的下降时间;高速场效应管的开关电路主要是通过增加辅助开关给主开关的寄生输出电容快速充电,来缩短主开关的关闭时间,来提高场效应管的开关速率;将LED的阳极与直流偏压Vcc相连接,这样就可以在电流脉冲到来之前给等效电容充满电,从而较有效的缩短了LED导通的延时,较大改善LED的瞬态响应时间。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710044447.2 | 专利名称: | 一种InGaN/GaN LED纳秒脉冲驱动电路 |
申请日: | 2017-01-21 | 申请/专利权人 | 陕西师范大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市长安南路199号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H05B33/08搜分类 LED 电路搜索 |
公开/公告日: | 2018-10-26 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN106879107B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2018/10/26 | 授权 | |
2017/07/14 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H05B 33/08 专利申请号: 201710044447.2 申请日: 2017.01.21 |
2017/06/20 | 公开 |