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摘 要:一种降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法,采用顶部籽晶金属氧化物熔化生长(Top Seeded-Metal Oxides Melt Growth,简称TS-MOMG)方法制备单畴钆钡铜氧块材,将Gd2O3、无水BaO以及CuO三种金属氧化物,在高温状态下直接熔化反应,并在籽晶诱导下进行外延生长,完成单畴钆钡铜氧超导块材生长,整个熔化生长过程不需要烧结任何先驱粉体,在不降低超导块材性能的前提下,大大缩短了制备时间,简化了操作步骤,提高了超导块材的制备效率,降低了单畴超导块材的制备成本。本发明可用于制备钆钡铜氧超导块材,也可用于制备Yb、Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201310304068.4 | 专利名称: | 降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法 |
申请日: | 2013-07-18 | 申请/专利权人 | 陕西师范大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市长安南路199号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C04B35/45搜分类 超导材料 低 港口搜索 |
公开/公告日: | 2013-11-20 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN103396115A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2014/11/12 | 授权 | |
2013/12/18 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C04B 35/45 专利申请号: 201310304068.4 申请日: 2013.07.18 |
2013/11/20 | 公开 |