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摘 要:本发明公开了一种低频低介电损耗的AgTa共掺二氧化钛基介电陶瓷材料及其制备方法,该陶瓷材料的通式为(Ag1/4Ta3/4)xTi1-xO2,其中x表示摩尔分数,x的取值为0.005~0.01。本发明陶瓷材料的制备方法简单、重复性好、成品率高,通过在Ta单掺的二氧化钛基陶瓷材料中引入金属元素Ag,使陶瓷材料在频率为40~106Hz范围内具有高介电常数(>104)、低介电损耗(<0.14),尤其是显著降低了陶瓷材料的低频介电损耗,在40~103Hz频率范围内介电损耗始终保持在0.07以下,同时具有优异的频率及温度稳定性,保持在-15%~15%之间,符合陶瓷电容器的参数要求,具有巨大的应用价值。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201711013960.1 | 专利名称: | 低频低介电损耗的AgTa共掺二氧化钛基介电陶瓷材料及其制备方法 |
申请日: | 2017-10-26 | 申请/专利权人 | 陕西师范大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市长安南路199号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C04B35/46搜分类 陶瓷 电陶瓷 陶瓷材料 介电陶瓷材料 材料及其制备方法 低 港口搜索 |
公开/公告日: | 2018-03-02 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN107746271A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2019/12/17 | 授权 | |
2018/03/27 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C04B 35/46 专利申请号: 201711013960.1 申请日: 2017.10.26 |
2018/03/02 | 公开 |