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摘 要:本发明涉及一种Ga-Sn共掺杂ZnO纳米带及其制备方法。目前的单元素掺杂ZnO纳米带存在着灵敏度不够高,制备时需要金属催化剂,原料成本高且会造成污染,需要高温进行操作,能耗高,安全性差的问题。本发明提供ZnO纳米带的制备方法,将Zn粉、Ga2O3粉和Sn粉按照1:0.05:0.05的摩尔比在研钵中研磨,混合均匀后放置在氧化铝小料舟内,将其送入高温水平管式炉中,而后将刚玉管内抽真空至1-10Pa,通入纯Ar使环境压力维持在4.0×102Pa;将炉体升温到800-1000℃后将Ar关闭,通入O2将环境压力维持在1-10×102Pa,保温后将系统关闭,冷却后乳白色奶油状沉积物即为所需的ZnO纳米带。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201410036548.1 | 专利名称: | 一种Ga-Sn共掺杂ZnO纳米带及其制备方法 |
申请日: | 2014-01-26 | 申请/专利权人 | 西安工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市未央区学府中路2号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C01G9/02搜分类 Sn Zn 纳米搜索 |
公开/公告日: | 2014-05-07 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN103771491A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2016/06/08 | 授权 | |
2015/11/18 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C01G 9/02 专利申请号: 201410036548.1 申请日: 2014.01.26 |
2014/05/07 | 公开 |