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摘 要:本发明涉及ZnO纳米墙/RGO异质结气敏传感器及其制备方法。现有技术中存在因ZnO与石墨烯接触差而导致的传感器工作温度高、响应‑恢复时间长的问题。本发明采用真空抽滤结合热还原法在Ag叉指电极上制备还原石墨烯薄膜;然后在还原石墨烯薄膜表面利用水溶液法原位生长单晶ZnO纳米墙;最后将构筑好的ZnO纳米墙/RGO异质结在Ar气氛下高温热处理,获得ZnO纳米墙/RGO异质结气敏传感器。本发明的ZnO纳米墙/RGO异质结,ZnO纳米墙原位生长在RGO薄膜上,实现了共价键或化学键强作用力连接,既可以发挥ZnO纳米墙在高灵敏度检测方面独特的优势,又可以利用石墨烯做为端电极提高电子传输速率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201510383734.7 | 专利名称: | ZnO纳米墙/RGO异质结气敏传感器及其制备方法 |
申请日: | 2015-07-03 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G01N27/00搜分类 建筑材料 气 传感 R Zn 纳米搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2017/08/22 | 授权 | |
2015/12/02 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): G01N 27/00 专利申请号: 201510383734.7 申请日: 2015.07.03 |
2015/11/04 | 公开 |