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摘 要:本发明公开了一种铜纳米结构的制备方法,选取基底,利用真空热蒸镀法在基底上蒸镀作为阳极的第一薄膜、以及作为阴极的第二薄膜;其中,第一薄膜和第二薄膜间隔设置,且材质均为金/银;在具有第一薄膜和第二薄膜的基底上蒸镀快离子导体薄膜;其中,快离子导体薄膜中含有铜,且快离子导体薄膜为连通的整体膜,整体膜同时覆盖于第一薄膜和第二薄膜上;为阳极和阴极通电,达到预定时间后,在阴极上得到铜纳米结构;本发明采用固态离子学法,采用RbCu4Cl3I2快离子导体薄膜,并利用不同于快离子导体薄膜的金属(金、银)作为电极,在全固态环境下完成了铜纳米结构的制备。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110415899.3 | 专利名称: | 一种铜纳米结构的制备方法 |
申请日: | 2021-04-19 | 申请/专利权人 | 西安工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市未央区学府中路2号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C23C14/26搜分类 纳米搜索 |
公开/公告日: | 2023-07-18 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113122811B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2023/07/18 | 授权 | |
2021/08/03 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C23C 14/26 专利申请号: 202110415899.3 申请日: 2021.04.19 |
2021/07/16 | 公开 |