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摘 要:本发明公开了一种RB‑SiC光学元件抛光工艺加工方法,该方法首先利用电感耦合等离子体抛光技术实现RB‑SiC光学元件的精磨抛光,之后利用射频磁控溅射表面平坦化技术在光学表面沉积纳米级平坦化层、最后利用离子束抛光修形技术辅助自由基微波等离子体抛光技术实现光学元件超光滑表面加工。相比于现有技术,本发明利用等离子体抛光技术替代传统的光学加工方法,结合纳米级的平坦化层制备技术和离子束修形抛光技术,极大地缩短了中大口径RB‑SiC元件的加工周期,构建了以高效率、高精度和低损耗的特点RB‑SiC光学元件抛光加工新方法。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710397592.9 | 专利名称: | RB-SiC光学元件抛光工艺加工方法 |
申请日: | 2017-05-31 | 申请/专利权人 | 西安工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市未央区学府中路2号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | B24B1/00搜分类 光学仪器 工艺 仪器仪表 C IC R 加工方法 平整表面的加工方法 工艺加工搜索 |
公开/公告日: | 2018-10-30 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN107052913B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |