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摘 要:本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法,该激光器包括半导体衬底、主激光器和种子源激光器,所述主激光器包括由下至上依次布设的第一缓冲层、第一N面电流引导层、第一有源区、第一高铝层、第一P型分布式布拉格反射镜层和第一P面电流引导层;该方法包括以下步骤:一、半导体激光器芯片的生长;二、第一氧化限制层的制作;三、第一电流阻挡层、第一N面电极和第一P面电极的制作;四、第二氧化限制层的制作;五、第二电流阻挡层、第二N面电极和第二P面电极的制作。本发明结构简单、设计合理且体积小,通过种子源激光器提高主激光器输出高功率激光光束的光束质量,并能压缩激光线宽,实用性强。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810855774.0 | 专利名称: | 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
申请日: | 2018-07-31 | 申请/专利权人 | 西安工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市未央区学府中路2号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01S5/183搜分类 激光搜索 |
公开/公告日: | 2023-05-02 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108666868B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2023/05/02 | 授权 | |
2018/11/09 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01S 5/183 专利申请号: 201810855774.0 申请日: 2018.07.31 |
2018/10/16 | 公开 |