一种钽衬底上生长InxGa1-xN纳米线的光电极及其制备方法

摘     要：一种钽衬底上生长InxGa1-xN纳米线的光电极，包括Ta衬底、中间层和InxGa1-xNN纳米线层，其中，x＝0.05～0.5。中间层包括Ta氮化物，且构筑于所述Ta衬底与所述InxGa1-xN纳米线层之间，与InxGa1-xN纳米线层的能级匹配。通过阳极氧化法结合高温氨化法对钽片进行前处理，形成中间层，然后采用VLS-CVD法，在处理后的钽片上生长InxGa1-xN纳米线。本发明设计了Ta/(Ta2N/TaN/Ta3N5)/InxGa1-xN纳米线结构的光电极，构筑了能级匹配的中间层，大幅度提高光催化分解水制氢和光催化降解水中有机污染物效率，且方法简单，在解决能源和环境问题方面有着重要的应用前景。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2019/07/30	授权
  2018/07/17	实质审查的生效	IPC(主分类): C25B 11/06 专利申请号: 201711485380.2 申请日: 2017.12.29
  2018/06/22	公开