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| 专利/申请号： | CN201910086651.X | 专利名称： | 一种抛光碳化硅衬底变质层厚度和光学常数椭偏检测方法 |
| 申请日： | 2019-01-29 | 申请/专利权人 | 华侨大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 福建省泉州市丰泽区城东城华北路269号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | G01N21/21分类检索 光学仪器 仪器仪表 硅 底 检测专利转让搜索 |
| 公开/公告日： | 2019-05-14 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN109752321A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要：本发明提供了一种抛光碳化硅衬底变质层厚度和光学常数椭偏检测方法，主要是提供后续椭偏数据的分析方法，包括碳化硅衬底椭偏测量、碳化硅衬底基底折射率分析、碳化硅衬底变质层光学常数分析、碳化硅衬底变质层厚度分析。其中碳化硅衬底椭偏测量部分包括测量角度的选择。碳化硅衬底基底折射率分析部分包括分析波长的选择，色散模型及参数的选择。碳化硅衬底变质层光学常数分析部分包括变质层分析过程、色散模型参数的选择。碳化硅衬底变质层厚度分析部分包括厚度分析过程。本发明不仅可以实现抛光碳化硅衬底变质层厚度的测量，同时可以获取变质层以及基底层的光学常数。该方法不仅适用抛光碳化硅衬底，也适用其他抛光衬底片表面变质层的检测。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2021/12/31 | 授权 | |
| 2019/06/07 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): G01N 21/21 专利申请号: 201910086651.X 申请日: 2019.01.29 |
| 2019/05/14 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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