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24小时咨询热线摘 要：本发明公开了一种基于线性光耦隔离的MOSFET/IGBT高速驱动电路，该高速驱动电路通过在线性光耦的集电极或射极使用变阻结构电路，在光耦的输出回路上采用动态电压比较电路，提高驱动信号的传输速度和上升下降沿的陡度，从而提高驱动电路的性能。本发明具有高速驱动速度快，体积小等优点。
著 录 项：
| 专利/申请号： | CN201610750833.9 | 专利名称： | 一种基于线性光耦隔离的MOSFET/IGBT高速驱动电路 |
| 申请日： | 2016-08-29 | 申请/专利权人 | 成都信息工程大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 四川省成都市西南航空港经济开发区学府路一段24号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H03K17/567搜分类 电子 隔离 F 电路搜索 |
| 公开/公告日： | 2023-03-24 | 转让价格： | 面议 |
| 公开/公告号： | CN106230414B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2023/03/24 | 授权 | |
| 2017/01/11 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H03K 17/567 专利申请号: 201610750833.9 申请日: 2016.08.29 |
| 2016/12/14 | 公开 |
